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快速退火工艺(一)

点击量:1134 日期:2023-11-17 编辑:硅时代

快速热退火是用各种热辐照源,直接照射在样品表面上,迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比,有下列优点:样品在相同的保护条件下,可以使用较高的退火温度,这有利于提高注入杂质的激活率与迁移率,尤其适合大剂量注入的样品,因为大剂量注入造成的损伤严重,需要在较高温度下退火,瞬态退火可以减少注入杂质的再分布,形成陡峭的杂质分布或突变结,另外当退火温度要求不十分高时,样品表面无须用介质膜保护,简化了工艺。

快速退火是集成电路制造中常用的一种快速热处理技术,用于消除晶圆上的应力和损伤,并提高晶圆的品质和可靠性。下面是几种常见的快速退火方式和它们的特点:

1.闪光灯退火(Flash Annealing):闪光灯退火是利用高功率闪光灯进行的退火工艺,其特点如下:

高能量密度:闪光灯通过释放高能量脉冲光,快速加热晶圆。

非接触性:闪光灯退火可以在不接触晶圆的情况下进行,减少了对晶圆的污染风险。

快速加热速率:闪光灯退火可以在极短的时间内将晶圆加热到目标温度,通常只需几毫秒。

适用广泛:闪光灯退火适用于多种材料和结构的退火处理。

2.激光退火(Laser Annealing):激光退火是使用激光进行的退火工艺,其特点如下:

高功率密度:激光通过将高能量集中在一个小区域,快速加热晶圆。

非接触性:激光退火可以在不接触晶圆的情况下进行,减少了对晶圆的污染风险。

高温精确控制:激光可以精确调节加热区域和加热强度,实现高温退火和局部加热。

快速加热速率:激光退火可以在几毫秒内将晶圆加热到所需温度。

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