MEMS加工

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光刻
  • 接触式光刻
    最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
  • 步进式光刻
    投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围<22.5*22.5mm
  • 电子束光刻
    最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范围<直径75mm
  • 双面对准光刻
    最小图形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm
  • 匀胶/显影
    正胶:50nm~20μm,负胶:50~400nm
  • 喷胶
    单次厚度<2μm
  • 热板/烘箱
    热板温度<180℃,烘箱温度<350℃




案例展示


                                    

                 纳米线@PMMA CD 8nm                二维光栅 with CD 50nm                  变直径纳米盘 误差±5nm             Φ100um 光波导 线宽700nm








快速退火工艺(一)
快速退火工艺(一)

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源,直接照射在样品表面上,迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比,有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中,利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化,沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代,是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
常规ICP刻蚀的操作流程

2023-10-13

(一)装片:1,在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop,切换至Vent ,120s 后打开 Loadlock;2,涂抹真空油脂:根据片子尺寸大小,在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
分子束外延的技术难点

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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