MEMS加工

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Work hard to make your product

光刻
  • 接触式光刻
    最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
  • 步进式光刻
    投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围<22.5*22.5mm
  • 电子束光刻
    最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范围<直径75mm
  • 双面对准光刻
    最小图形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm
  • 匀胶/显影
    正胶:50nm~20μm,负胶:50~400nm
  • 喷胶
    单次厚度<2μm
  • 热板/烘箱
    热板温度<180℃,烘箱温度<350℃




案例展示


                                    

                 纳米线@PMMA CD 8nm                二维光栅 with CD 50nm                  变直径纳米盘 误差±5nm             Φ100um 光波导 线宽700nm








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