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MEMS加工

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光刻
  • 接触式光刻
    最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
  • 步进式光刻
    投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围<22.5*22.5mm
  • 电子束光刻
    最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范围<直径75mm
  • 双面对准光刻
    最小图形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm
  • 匀胶/显影
    正胶:50nm~20μm,负胶:50~400nm
  • 喷胶
    单次厚度<2μm
  • 热板/烘箱
    热板温度<180℃,烘箱温度<350℃




案例展示


                                    

                 纳米线@PMMA CD 8nm                二维光栅 with CD 50nm                  变直径纳米盘 误差±5nm             Φ100um 光波导 线宽700nm








mems热电堆芯片加工
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2022-05-20

常见的MEMS设计热电堆传感器有封闭膜式和悬臂梁式。 传统热电堆芯片采用湿法腐蚀工艺,CMOS-MEMS热电堆芯片则采用干法腐蚀工艺。

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微纳制造技术在传感器的应用
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2022-05-05

微纳制造技术是建筑纳米科技大厦的基石之一,其在传感器上的应用成果即MEMS传感器,包括压力传感器,加速度传感器,图像传感器等。这些传感器在医...

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mems设计之硅压阻式压力传感器设计
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2022-04-12

  mems设计之硅压阻式压力传感器,顾名思义就是通过感知压力变化工作的传感器,其原理是敏感膜受压后发生形变,引起惠斯通电桥的不平衡变化,继而...

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微纳加工三个主流技术
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2022-04-01

微纳加工技术是当今时代最重要的技术之一,历史虽然不长,但发展迅速。从实际应用来看,主要可分为两大类,硅基微机械加工技术和非硅基微机械加工技术...

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