微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司
微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司 专业微纳加工
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MEMS加工

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Work hard to make your product

外延生长·掺杂
  • 金属有机物化学气相沉积
    GaN，GaAs
  • 化学气相沉积
    SIC
  • 离子注入
    B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
  • 高温氧化
    1150℃
  • 高温扩散/退火
    900℃-1100℃
  • 快速退火
    150℃-1000℃

案例展示


                                                    

                                         Diamond-coated wafers                                                                                      晶圆圆片长膜、图形化



快速退火工艺（一）
快速退火工艺（一）

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比，有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中，利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化，沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代，是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
常规ICP刻蚀的操作流程

2023-10-13

（一）装片：1，在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop，切换至Vent ，120s 后打开 Loadlock；2，涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
分子束外延的技术难点

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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