微流道芯片

微流道芯片

Product pilot test

硅流道芯片
纯硅模具是制备高深宽比微通道的理想选择,利用硅的干法刻蚀技术,可以轻松实现深宽比最高达25:1的微通道结构,而且线条宽度可控制在2微米以上,精度误差仅在±1微米范围内,该方法可以弥补光刻胶在高深宽方面的不足之处。硅干法刻蚀具体流程如右图然而,硅表面通常具有强烈的亲水性,这可能导致PDMS芯片在脱模时黏附在硅表面,制造过程中的一大挑战。为解决这个问题,通常需要对硅表面进行疏水修饰,使硅表面变得疏水,确保PDMS芯片能够轻松从硅模具上脱离,而不受亲水性的干扰(具体疏水解决方案可咨询

特点
它对有机溶剂的耐受性
容易金属沉积
优越的导热性,表面稳定性
加工案例
T型液滴
晶边刻蚀工艺详解
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2025-12-26

3D NAND 因堆叠层数激增,晶圆中心到边缘的膜层厚度差异可达 20% 以上,为缺陷埋下隐患。最常见的剥落缺陷,根源在于膜层应力与附着力失衡:沉积...

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为什么匀胶后不洗边良率直接跌20%?
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2026-01-23

洗边本质是通过消除边缘工艺偏差,保障晶圆全局的工艺一致性。匀胶时,晶圆在高速旋转下,光刻胶受离心力作用向边缘扩散,但受表面张力、晶圆边缘形貌...

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MEMS牺牲层去除技术详解
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2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,牺牲层去除工艺始终是决定器件良率与可靠性的关键环节。这一过程的核心挑战在于:如何在释放可动微结构的同时,避免因机...

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湿法腐蚀工艺开发的过程中需要注意哪些问题?
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2025-08-22

1.现有工艺复用优先原则 2,新工艺开发的成本-风险模型 1.腐蚀液配方设计三原则 原则2——工艺窗口宽泛化:±2℃时腐蚀速率变化<5%;HCl体系pH...

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