微流道芯片

微流道芯片

Product pilot test

硅流道芯片
纯硅模具是制备高深宽比微通道的理想选择,利用硅的干法刻蚀技术,可以轻松实现深宽比最高达25:1的微通道结构,而且线条宽度可控制在2微米以上,精度误差仅在±1微米范围内,该方法可以弥补光刻胶在高深宽方面的不足之处。硅干法刻蚀具体流程如右图然而,硅表面通常具有强烈的亲水性,这可能导致PDMS芯片在脱模时黏附在硅表面,制造过程中的一大挑战。为解决这个问题,通常需要对硅表面进行疏水修饰,使硅表面变得疏水,确保PDMS芯片能够轻松从硅模具上脱离,而不受亲水性的干扰(具体疏水解决方案可咨询

特点
它对有机溶剂的耐受性
容易金属沉积
优越的导热性,表面稳定性
加工案例
T型液滴
快速退火工艺(一)
快速退火工艺(一)

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源,直接照射在样品表面上,迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比,有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中,利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化,沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代,是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
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2023-10-13

(一)装片:1,在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop,切换至Vent ,120s 后打开 Loadlock;2,涂抹真空油脂:根据片子尺寸大小,在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
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2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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