MEMS加工

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镀膜
  • 低压化学气相沉积
    SiNx,片内均匀性:<±5%
  • 等离子增强 化学气相沉积
    SiO₂,SiNx,a-Si(B,P,Ge掺杂)
  • 感应耦合 化学气相沉积
    SiO₂,SiNx,SiC(低温、低应力镀膜)
  • 原子层沉积
    Al2O3、HfO2、AlN
  • 光学镀膜
    SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3
  • 溅射沉积
    Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb
  • 电子束蒸发
    Ti,Al,Ni,Ag,Cr,Sn,Pt,AuGe
  • 热蒸发
    Sn,AuSn,Ag,Au

案例展示


                        

                      高密度金属Al厚膜                                金属膜沉积                       20nm HfO2  onto Si trenches                   Au Lift-off Process

                                                                                                                                    (AR=25)








晶边刻蚀工艺详解
晶边刻蚀工艺详解

2025-12-26

3D NAND 因堆叠层数激增,晶圆中心到边缘的膜层厚度差异可达 20% 以上,为缺陷埋下隐患。最常见的剥落缺陷,根源在于膜层应力与附着力失衡:沉积...

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为什么匀胶后不洗边良率直接跌20%?
为什么匀胶后不洗边良率直接跌20%?

2026-01-23

洗边本质是通过消除边缘工艺偏差,保障晶圆全局的工艺一致性。匀胶时,晶圆在高速旋转下,光刻胶受离心力作用向边缘扩散,但受表面张力、晶圆边缘形貌...

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MEMS牺牲层去除技术详解
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2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,牺牲层去除工艺始终是决定器件良率与可靠性的关键环节。这一过程的核心挑战在于:如何在释放可动微结构的同时,避免因机...

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湿法腐蚀工艺开发的过程中需要注意哪些问题?
湿法腐蚀工艺开发的过程中需要注意哪些问题?

2025-08-22

1.现有工艺复用优先原则 2,新工艺开发的成本-风险模型 1.腐蚀液配方设计三原则 原则2——工艺窗口宽泛化:±2℃时腐蚀速率变化<5%;HCl体系pH...

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