MEMS加工

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镀膜
  • 低压化学气相沉积
    SiNx,片内均匀性:<±5%
  • 等离子增强 化学气相沉积
    SiO₂,SiNx,a-Si(B,P,Ge掺杂)
  • 感应耦合 化学气相沉积
    SiO₂,SiNx,SiC(低温、低应力镀膜)
  • 原子层沉积
    Al2O3、HfO2、AlN
  • 光学镀膜
    SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3
  • 溅射沉积
    Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb
  • 电子束蒸发
    Ti,Al,Ni,Ag,Cr,Sn,Pt,AuGe
  • 热蒸发
    Sn,AuSn,Ag,Au

案例展示


                        

                      高密度金属Al厚膜                                金属膜沉积                       20nm HfO2  onto Si trenches                   Au Lift-off Process

                                                                                                                                    (AR=25)








快速退火工艺(一)
快速退火工艺(一)

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源,直接照射在样品表面上,迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比,有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中,利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化,沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代,是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
常规ICP刻蚀的操作流程

2023-10-13

(一)装片:1,在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop,切换至Vent ,120s 后打开 Loadlock;2,涂抹真空油脂:根据片子尺寸大小,在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
分子束外延的技术难点

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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