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MEMS加工

为成就您的产品，而努力

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刻蚀
  • 碱性腐蚀
    KOH，TMAH
  • 酸性腐蚀
    HF，BOE，HCI，HNO3等
  • 光刻胶剥离
    Acetone，IPA
  • 电感耦合等离子刻蚀
    GaN，GaAs，InP
  • 深硅刻蚀DRIE
    刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1
  • 深氧化硅刻蚀
    石英，玻璃，硅，刻蚀形貌：90°±1°
  • 离子束刻蚀
    用于较难刻蚀的金属或其他物质
  • 反应离子刻蚀
    Si，SiO₂，SiNx
  • 灰化
    光刻胶，聚合物


案例展示


                         

          RIE of InP waveguide 7um polyimide                BOSCH工艺                   Deep Si etch SOI Notch Free                  SOI Notch Free      





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