微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司
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MEMS加工

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Work hard to make your product

刻蚀
  • 碱性腐蚀
    KOH，TMAH
  • 酸性腐蚀
    HF，BOE，HCI，HNO3等
  • 光刻胶剥离
    Acetone，IPA
  • 电感耦合等离子刻蚀
    GaN，GaAs，InP
  • 深硅刻蚀DRIE
    刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1
  • 深氧化硅刻蚀
    石英，玻璃，硅，刻蚀形貌：90°±1°
  • 离子束刻蚀
    用于较难刻蚀的金属或其他物质
  • 反应离子刻蚀
    Si，SiO₂，SiNx
  • 灰化
    光刻胶，聚合物


案例展示


                         

          RIE of InP waveguide 7um polyimide                BOSCH工艺                   Deep Si etch SOI Notch Free                  SOI Notch Free      





快速退火工艺（一）
快速退火工艺（一）

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比，有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中，利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化，沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代，是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
常规ICP刻蚀的操作流程

2023-10-13

（一）装片：1，在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop，切换至Vent ，120s 后打开 Loadlock；2，涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
分子束外延的技术难点

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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