MEMS加工

为成就您的产品,而努力

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器件封装
  • 倒装键合
    芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,温度<450℃ 精度:±3μm,压力<100kg,2寸晶圆对晶圆键合
  • 晶圆键合
    阳极键合、共晶键合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、胶键合(BCB,SU8,键合专用胶),对准精度±5μm
  • 点胶
    工作范围:≤300*300mm,胶量控制:容积式和气压式,胶水黏度<50kCPS,单次胶量<0.16900ml,时间设置范围<9.999sec
  • 贴片
    银浆、焊料
  • 引线
    球形焊、楔形焊;Au线,Al线
  • 回流炉
    真空:2mbar,温度<450℃±0.05℃
  • 平行封焊
    各类金属管壳,位置精度:±0.0381mm,压力<5kg
  • TSV(硅通孔)工艺
    1、通孔的形成;2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积;3、电镀填充,去除和再布线;4、晶圆减薄;5、键合、划片
  • TGV(玻璃通孔工艺)
    可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。




  • 案例展示


                               

            底层管芯与顶层管芯堆叠连接            Cu-Cu Metal Diffusion Bond             TSV(Cu&Sn键合)Process            Ultra High Density TGV For MEMS







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