倒装键合
芯片尺寸:5*5mm-5*5cm 厚度<2mm,温度<450℃ 精度:±3μm,压力<100kg,2寸晶圆对晶圆键合
晶圆键合
阳极键合、共晶键合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)、胶键合(BCB,SU8,键合专用胶),对准精度±5μm
点胶
工作范围:≤300*300mm,胶量控制:容积式和气压式,胶水黏度<50kCPS,单次胶量<0.16900ml,时间设置范围<9.999sec
贴片
银浆、焊料
引线
球形焊、楔形焊;Au线,Al线
回流炉
真空:2mbar,温度<450℃±0.05℃
平行封焊
各类金属管壳,位置精度:±0.0381mm,压力<5kg
TSV(硅通孔)工艺
1、通孔的形成;2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积;3、电镀填充,去除和再布线;4、晶圆减薄;5、键合、划片
TGV(玻璃通孔工艺)
可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。
案例展示

底层管芯与顶层管芯堆叠连接 Cu-Cu Metal Diffusion Bond TSV(Cu&Sn键合)Process Ultra High Density TGV For MEMS