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器件封装

倒装键合

芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度<2mm，温度<450℃ 精度：±3μm，压力<100kg，2寸晶圆对晶圆键合

晶圆键合

阳极键合、共晶键合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）、胶键合（BCB，SU8，键合专用胶)，对准精度±5μm

点胶

工作范围：≤300*300mm，胶量控制：容积式和气压式，胶水黏度<50kCPS，单次胶量<0.16900ml，时间设置范围<9.999sec

贴片

银浆、焊料

引线

球形焊、楔形焊；Au线，Al线

回流炉

真空：2mbar，温度<450℃±0.05℃

平行封焊

各类金属管壳，位置精度：±0.0381mm，压力<5kg

TSV（硅通孔）工艺

1、通孔的形成；2、绝缘层、阻挡层和种子层的淀积；3、电镀填充，去除和再布线；4、晶圆减薄；5、键合、划片

TGV（玻璃通孔工艺）

可完成打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片等。

案例展示

底层管芯与顶层管芯堆叠连接 Cu-Cu Metal Diffusion Bond TSV（Cu&Sn键合）Process Ultra High Density TGV For MEMS

公安备案号：苏公网安备32059002006658号