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刻蚀偏差 （Etch Bias）
点击量：723 日期：2023-08-22 编辑：硅时代
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化（见图1）。它通常是由于横向钻刻引起的（见图2），但也能由刻蚀剖面引起。当刻蚀中要去除掩模下过量的材料时，会引起被刻蚀材料的表面向光刻胶边缘凹进去，这样就会产生横向钻刻。计算刻蚀偏差的公式如下：
刻蚀偏差=Wb-Wa
其中，Wb=刻蚀前光刻胶的线宽
Wa=光刻胶去掉后被刻蚀材料的线宽
图1 刻蚀偏差
图2 刻蚀中的横向钻刻和倾斜
刻蚀偏差的大小与很多因素有关：衬底材料、光刻胶上图形的线宽、刻蚀工艺的参数等。目前额做法是对版图上所有的边缘添加（或减去）一个固定的线宽，被称为全片刻蚀偏差（global etch bias）。显然，这样的做法比较粗糙，设有顾及刻蚀偏差是与光刻胶上的线宽有关的。精确地做法是，建立一个刻蚀的模型，首先对设计的版图做修正；然后，在做光刻的OPC修正，如图2（第七章光刻邻近效应修正与计算光刻 P359 图7.40）所示。刻蚀修正可以使用模型，也可以是一些规则（类似于rules-based OPC）。也有尝试把刻蚀修正与光学修正合成在一起的。
图2 先做刻蚀修正，再做OPC修正的流程图
