SLIGA技术是H.Guckle教授等人结合硅面加工技术和常规LIGA技术而开发出的一种新工艺。在这个工艺中,牺牲层用于加工形成与基片完全相连或部分相连或完全脱离的金属部件。利用SLIGA技术可以制造活动的微器件。SLIGA工艺流程如图所示。 工艺过程为:先在平面基板上布设一层牺牲层材料,如聚酰亚胺、淀积的氧化硅、多晶硅或者某种合适的金属等,与电镀的材料相比,这些材料比较容易被有选择地去除。然后在基片和牺牲层上溅射一层电镀基底,其后的工艺与常规SLIGA工艺相同。在完成LIGA技术的微电铸工艺之后将牺牲层去除,就可获得可活动的微结构。
所谓“表面牺牲层”技术,即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件,再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用,故称其为牺牲(sacrificial 1ayer,厚度约1-2μm)。常用的结构材料有多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅和金属等,常用牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻胶。利用牺牲层可制造出多种活动的微结构,如微型桥、悬臂梁及悬臂块等,此外常被用来制作敏感元件和执行元件,如谐振式微型压力传感器、谐振式微型陀螺、微型加速度计及微型马达、各种制动器等。