1. 直流溅射DCPVD：靶材只能是导体，主要用于沉积金属栅。DCPVD是利用电场加速带电离子，使离子和靶材表面原子碰撞，将后者溅射出来射向衬底，从而实现薄膜的沉积。使用DCPVD溅射绝缘材料时会导致正电荷在靶材表面积累，靶材的负电性减弱直至消失，导致溅射终止，因此不适用绝缘材料沉积，解决该问题的办法是使用RFPVD或者CVD；另外，DCPVD启辉电压高，电子对衬底的轰击强，解决该问题的办法是使用磁控溅射PVD。

2.射频溅射RFPVD：适合各种金属和非金属材料。RFCVD采用射频电源作为激励源，轰击出的靶材原子动能较DCPVD更小，因此既可以沉积金属也可以沉积非金属材料，但由于台阶覆盖率能力不如CVD，一般多用CVD沉积绝缘材料；RFPVD在改变薄膜特性和控制粒子沉积对衬底损伤方面有独特优势，因此可以用来配合直流磁控PVD使用，来降低DCPVD对圆片上的器件的损伤。

在实际应用中，RFPVD主要沉积金属栅或者配合磁控溅射PVD使用来降低器件损伤。

3.磁控溅射PVD：在当前金属薄膜PVD中处于主导地位，是对平面型DCPVD的改进。磁控溅射是一种在靶材背面添加磁体的PVD方式，利用溅射源在腔室内形成交互的电磁场，延长电子的运动路径进而提高等离子体的浓度，最终实现更多的沉积。磁控PVD等离子体浓度更高，可以实现极佳的沉积效率、大尺寸范围的沉积厚度控制、精确的成分控制等，在当前金属薄膜PVD中处于主导地位。

磁控溅射PVD主要用于Al金属籽晶层、TiN金属硬掩膜。磁控溅射PVD中的磁控DCPVD是应用最广泛的沉积方式，特别是对于平面薄膜的沉积，比如Al互连的金属层，但在Cu互连（CuBs）中应用减少，32nm以下的TiN硬掩膜又开启了这类技术的新应用。 

4.离子化PVD（Ionized-PVD）：为满足高深宽比通孔和狭窄沟道的填充能力，而对磁控DCPVD做出的改进。传统PVD无法控制粒子的沉积方向，在孔隙深宽比增加时，底部的覆盖率较低，同时顶部拐角处形成最薄弱的覆盖。离子化PVD为解决这一问题而出现，是对磁控溅射DCPVD的改进，可以控制金属离子的方向和能量，以获得稳定的定向金属离子流，从而提高对高深宽比通孔和狭窄沟道的台阶底部的覆盖能力。

离子化PVD主要用于Al的阻挡层、CuBs中的阻挡层和籽晶层，也可以和金属CVD结合用于沉积钨栓塞中的Ti粘附层。