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蚀刻工艺的精确计时
点击量：266 日期：2023-08-10 编辑：硅时代
对于更紧密的几何形状和更薄的薄膜，需要在蚀刻速率与对其他操作参数的良好控制之间取得平衡。
“随着设计规则的缩小，许多蚀刻工艺正在转向非常快速的等离子体蚀刻工艺步骤，这需要对所有反应输入进行高度精确的控制：功率、压力、化学和温度，”Finch 说，并指出优化等离子体的趋势脉冲行为产生特定的离子与中性比，然后清除副产物。“此类条件的高级建模对于实现进一步的设备缩放至关重要。”
一段时间以来，蚀刻系统制造商一直在使用建模软件来加快下一个节点的开发或提高产量。考虑到该过程及其所有变量的绝对复杂性，这并不奇怪。
“在开发下一节点技术时，根本没有足够的时间或足够的晶圆来执行所有可能的工艺实验，”Finch 说。“蚀刻设备设置组合的数量可能达到数百万，甚至数十亿，使用所有工艺可能性的强力晶圆开发是根本不可能的。”
当然，所有好的模型都是在实际芯片上验证的。“一个准确的模型应该具有预测性，它应该解决用户想要解决的目标问题，”Finch说。“每次根据模拟工作推荐工艺或设计变更时，实际的晶圆厂数据应该反映推荐的结果。在我们的案例中，我们已经能够使用基于模型的结果准确预测流程变化的影响，并快速解决困难的流程和技术开发问题。”
工具供应商还致力于先进的蚀刻工艺，以更紧密地集成生产线，并将曾经的双掩模级工艺（两个光刻步骤）转变为一个工艺，以简化工艺并降低成本。
Bézard 说：“公司没有采用现有的硬件来让瑞士军刀装备得更好，而是引入了特定于应用程序的技术，例如解决尖端问题的新系统。” 目的是使彼此面对的两条线靠得更近，目前这涉及线图案化步骤，然后是切割掩模。“应用材料公司和其他公司正在推出的是一种在水平方向上直接蚀刻的方法。” 这样的过程也可以加宽通孔。
