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EUV技术对掩膜版和光刻胶的要求
点击量：906 日期：2023-09-01 编辑：硅时代
EUV与现有光刻技术的主要区别，在于极紫外投影光刻系统使用了反射式掩模。反射式掩模采用坚固的背支撑结构．可以有效地防止由装校应力以及热应力产生的变形；透射式掩模则因为其对工作光束的强烈吸收与热应力变形之间的矛盾不能协调解决而无法在13nm 光刻技术中得到应用。研究表明，EUV掩膜缺陷密度应为18nm 节点0．O03defects／cm2。
最新的数据认为，最终量产时的目标达到0.01defeets/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高达ldefect／cm2，任务非常艰巨。要使检测机台的水平满足芯片制造的要求，EUV光源的亮度而非能量，仍需大幅改善。这是因为EUV光刻机的NA非常小，测量机台只能覆盖光源较小的一部分，高能量光源对于测量机台来说太大太昂贵。在这一点上，LPP光源更小更亮，较DPP更有优势
Sematech光刻胶测试中心(RTC)的研究人员最近表示(2008年9月)，他们已经通过化学特征增强的EUV光刻胶平台，获得了22nm半节距分辨率，曝光速度为15mJ／cm ，线宽粗糙度(LWR)达到5-6nm。RTC表示，尽管LWR仍高于ITRS技术要求，但通过处理和刻蚀工艺，LWR可以降低到DRAM／NAND应用中早期采用者可接受的程度。实验结果表明，在22 nm节点EUV光刻将是有力的竞争方案。[3]
2009年英特尔公司对EUV抗蚀剂提出的要求简要介绍如表1 。研发符合英特尔公司图形要求的EUV抗蚀剂是一个重要的挑战。
研发符合英特尔公司图形要求的EUV抗蚀剂是一个重要的挑战。因此应用于EUV的化学增幅型抗蚀剂需要具备如下的特征：
①低吸光率，高透明度；
②高的抗蚀刻性；
③ 高分辨率；
④ 高感度，曝光剂量小于10 mJ／cm ；
⑤高的环境稳定性；
⑥低的产气作用，产气材料能在光学元件上沉积减少原件
的反射率和寿命；
⑦低的线边缘粗糙度；
⑧侧壁角度不小于85°。
