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显影技术
点击量：778 日期：2023-09-04 编辑：硅时代
显影是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。最常见的显影方法是旋转、喷雾、浸润，然后显影。硅片用去离子水冲洗后甩干。显影过程如图 所示，非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生化学反应，在显影时也就不会存在这样的酸碱中和，因此非曝光区的光刻胶被保留下来。经过曝光的正胶是逐渐溶解的，中和反应只在光刻胶的表面进行，因此正胶受显影液的影响相对比较小。对于负胶来说非曝光区的负胶在显影液中首先形成凝胶体，然后再分解，这就使得整个负胶层都被显影液浸透。在被显影液浸透之后，曝光区的负胶将会膨胀变形。
显影后留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩模，因此，显影是一步重要的工艺。严格的说，在显影时曝光区和非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶溶解速度反差越大，显影后得到的图形对比度越高。
显影液是溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域的一种化学溶剂 。对于负显影工艺，显影液通常是一种有机溶剂，如二甲苯 。对于正显影工艺，显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的是氢氧化钾与水的混合物，但这两种都包含了可动离子玷污(MIC)。最普通的是四甲基氢氧化铵(TMAH) 。
目前欧美和日本企业凭借技术优势，占据了湿电子化学品全球市场主导地位。
虽国内厂商产品主要集中在中低端产品，与世界整体水平还有一定距离，但近年来包括格林达在内的国内湿电子化学品企业持续技术创新，在细分产品领域具有一定的市场集中度，已接近国际领先水平。
