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EUV技术对光源的要求
点击量：661 日期：2023-09-11 编辑：硅时代
开发EUV光源面临的最大挑战 在于。如何在提高EUV光源瓦数的同时，降低等离子气氛中微粒、高速粒子和其它污染物，否则光源将会快速恶化。EUV光源可以分为光产生、光收集、光谱纯化三个部分 。通常来说，EUV光源的产生有两种方法：激光等离子体光源fLPP1和放电等离子体光源fDPP1。LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。其原理是利用高功率激光加热负载fXe或Sn)形成等离子体 ，等离子体辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得13．5nm 的EUV光。DPP EUV光源利用放电使负载(xe或Sn)形成等离子体161，辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得13．5nm的EUV光。
一般而言，轻的材料比重的材料在EUV 区域的吸收弱。因而有些实验采用掺锡的泡沫材料控制EUV发射谱。Harilal等人测量了单质锡和掺锡的泡沫材料在13．5 nm附近的发射谱，实验结果表明，掺锡的泡沫材料的等离子体连续发射降低，而13．5 nm附近的发射变窄，而且优化的EUV发射谱所需要的锡浓度要小于1％。虽然有不少实验测量了氙和锡等离子体的发射谱，然而等离子体的温度、密度等物理状态却很少能同时准确测定，这不利于对实验结果的理解、分析与解释。
