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湿法刻蚀工艺
点击量:574 日期:2023-09-12 编辑:硅时代
干法刻蚀(Dry Etching)是使用气体刻蚀介质。 常用的干法刻蚀方法包括物理刻蚀(如离子束刻蚀)和化学气相刻蚀(如等离子体刻蚀)等。
与干法蚀刻相比,湿法刻蚀使用液体刻蚀介质,通常是一种具有化学反应性的溶液或酸碱混合液。 这些溶液可以与待刻蚀材料发生化学反应,从而实现刻蚀。 硅湿法刻蚀是一种相对简单且成本较低的方法,通常在室温下使用液体刻蚀介质进行。
然而,与干法刻蚀相比,它的刻蚀速度较慢,并且还需要处理废液。 每个目标物质都需要选择不同的化学溶液进行刻蚀,因为它们具有不同的固有性质。 例如,在刻蚀SiO2时,主要使用HF; 而在刻蚀Si时,主要使用HNO3。 因此,在该过程中选择适合的化学溶液至关重要,以确保目标物质能够充分反应并被成功去除。
“各向同性”和“各向异性”
在介绍湿法蚀刻和干法蚀刻的区别时,必不可少的词是“各向同性”和“各向异性”。各向同性是指物质和空间的物理性质不随方向变化,各向异性是指物质和空间的物理性质随方向不同而不同。各向同性蚀刻是指在某一点周围蚀刻进行相同量的情况,各向异性蚀刻是指蚀刻在某一点周围根据方向不同进行的情况。例如,在半导体制造过程中的刻蚀中,往往选择各向异性刻蚀,以便只刮削目标方向,而留下其他方向。