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快速退火工艺（一）
点击量：570 日期：2023-11-17 编辑：硅时代
快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比，有下列优点：样品在相同的保护条件下，可以使用较高的退火温度，这有利于提高注入杂质的激活率与迁移率，尤其适合大剂量注入的样品，因为大剂量注入造成的损伤严重，需要在较高温度下退火，瞬态退火可以减少注入杂质的再分布，形成陡峭的杂质分布或突变结，另外当退火温度要求不十分高时，样品表面无须用介质膜保护，简化了工艺。
快速退火是集成电路制造中常用的一种快速热处理技术，用于消除晶圆上的应力和损伤，并提高晶圆的品质和可靠性。下面是几种常见的快速退火方式和它们的特点：
1.闪光灯退火（Flash Annealing）：闪光灯退火是利用高功率闪光灯进行的退火工艺，其特点如下：
高能量密度：闪光灯通过释放高能量脉冲光，快速加热晶圆。
非接触性：闪光灯退火可以在不接触晶圆的情况下进行，减少了对晶圆的污染风险。
快速加热速率：闪光灯退火可以在极短的时间内将晶圆加热到目标温度，通常只需几毫秒。
适用广泛：闪光灯退火适用于多种材料和结构的退火处理。
2.激光退火（Laser Annealing）：激光退火是使用激光进行的退火工艺，其特点如下：
高功率密度：激光通过将高能量集中在一个小区域，快速加热晶圆。
非接触性：激光退火可以在不接触晶圆的情况下进行，减少了对晶圆的污染风险。
高温精确控制：激光可以精确调节加热区域和加热强度，实现高温退火和局部加热。
快速加热速率：激光退火可以在几毫秒内将晶圆加热到所需温度。
