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cvd mems加工
点击量：1073 日期：2021-04-13 编辑：硅时代
CVD 加工工艺是制作微传感器、微执行器 和 MEMS加工的主流技术 ,是近年来随着集成电路工艺 发展起来的 ,它是离子束、电子束、分子束、激光束和 化学刻蚀等用于微电子加工的技术 ,目前越来越多 地用于 MEMS 的加工中 ,例如溅射、蒸镀、等离子体 刻蚀、化学气体淀积、外延、扩散、腐蚀、光刻等。在以硅为基础的 MEMS 加工工艺中 ,主要的加工工艺 有腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、溅射等。
MEMS生产中的薄膜指通过蒸镀、溅射、沉积等工艺将所需物质铺盖在基片的表层，根据其过程的气相变化特性，可分为PVD与CVD两大类。
电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内膜材，使膜材表面原子蒸发进而沉积在基片上；以FATRI UTC电子束蒸镀机在MEMS制造过程的功用来说，其主要用来蒸镀Pt、Ni、Au等。
而磁控溅射是在高真空(10-5Torr)的环境下，导入惰性气体（通常是Ar）并在电极两端加上高电压、产生辉光放电(Glow discharge)。Ar原子被电离成Ar+和电子。在电场作用下Ar+加速飞向靶材(target)，与靶材发生碰撞，溅射出大量的靶材原子，靶材原子沉积在基片上。在FATRI UTC 的MEMS 生产过程中，其可溅射Al、C0、Fe、的合金等。
CVD工艺又可细分APCVD，LPCVD及PECVD；在MEMS制造中我们通常使用PECVD机台(见下图)来制造SiO2、Si3N4 或 SiC。其工艺是在较低的温度下借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
