聚焦离子束（FIB）技术是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用到样品表面并进行纳米加工。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。聚焦离子束技术也是集形貌观测、薄膜淀积、无掩模刻蚀和透射电镜样品制备等各功能于一体的新型
微纳加工技术。
主要构成部分：离子源、离子光学柱、束描画系统、X-Y工件台和信号采集处理单元。
主要应用：
一、形貌观测
聚焦离子束轰击样品表面，激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等，收集这些信号，经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统成像分辨率已达到5nm，比扫描电镜稍低，但成像具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。
二、无掩模蚀刻
高能聚焦离子束轰击样品时，其动能会传递给样品中的原子分子，产生溅射效应，从而达到不断蚀刻，即切割样品的效果。其切割定位精度能达到5nm级别，具有超高的切割精度。
三、薄膜淀积
利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属有机物气体喷涂在样品上需要沉积的区域，当离子束聚焦在该区域时，离子束能量使有机物发生分解，分解后的金属固体成分被沉积下来，而挥发性有机物成分被真空系统抽走。
四、透射电镜样品制备
通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样，不但费时而且还无法精确定位。聚焦离子束在制作透射电镜样品时，不但能精确定位，还能做到不污染和损伤样品。
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