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微纳加工工艺氧化cvd流程图
点击量:1891 日期:2020-03-26 编辑:硅时代
微纳加工工艺沉积SiO2薄膜主要通过氧化和cvd两种工艺方法。
氧化工艺是在高温下,衬底的硅直接与O2发生反应生成SiO2,后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面,继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度,生成1个单位厚度的SiO2薄膜,需要消耗0.445单位厚度的Si衬底;
CVD工艺是气态反应物通过化学反应,在基片表面生成SiO2薄膜的成膜工艺,其生成的SiO2来自反应物的化学反应分解,衬底不参与整个反应过程,不会消耗硅衬底材料;