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  • EUV技术对光源的要求
    EUV技术对光源的要求

    2023-09-11

    开发EUV光源面临的最大挑战 在于。如何在提高EUV光源瓦数的同时,降低等离子气氛中微粒、高速粒子和其它污染物,否则光源将会快速恶化。EUV光...

  • 极紫外光刻技术
    极紫外光刻技术

    2023-09-08

    对于光刻机而言,最核心的技术就是光源,光刻机按光源技术进步次序可分为紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、极紫外光(EUV)三大类。极紫外光刻...

  • 磁控溅射镀膜粘附力不好如何解决?
    磁控溅射镀膜粘附力不好如何解决?

    2023-09-07

    磁控溅射(Magnetron Sputtering)是一种常见的物理气相沉积 (PVD) 工艺,是制造半导体、磁盘驱动器和光学膜层的主要薄膜沉积方法。磁控溅射具有...

  • MEMS技术的加工工艺
    MEMS技术的加工工艺

    2023-09-06

    (一)硅表面微机械加工技术 美国加州大学Berkeley分校的Sensor and Actuator小组首先完成了三层多晶硅表面微机械加工工艺,确立了硅表面微加工工艺...

  • 显影技术
    显影技术

    2023-09-04

    显影是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解,将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。最常见的显影方法是旋转...

  • EUV技术对掩膜版和光刻胶的要求
    EUV技术对掩膜版和光刻胶的要求

    2023-09-01

    EUV与现有光刻技术的主要区别,在于极紫外投影光刻系统使用了反射式掩模。反射式掩模采用坚固的背支撑结构.可以有效地防止由装校应力以及热应力产...

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