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光刻的性能指标
2023-08-02

1. 特征尺寸特征尺寸又称为线宽(CD, critical dimension)。通常大家听到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的线宽。线宽指的是在...
各种溅射工艺的对比
2023-08-02

1. 直流溅射DCPVD：靶材只能是导体，主要用于沉积金属栅。DCPVD是利用电场加速带电离子，使离子和靶材表面原子碰撞，将后者溅射出来射...
各类型光刻技术的特点
2023-08-01

一、光刻技术：从接触式到接近式　　接触式光刻技术良率低、成本高：接触式光刻技术出现于20世纪60年代，是小规模集成电路时期最主要的光刻技术。接触...
电子束蒸发镀膜
2023-08-01

一、电子束蒸发镀膜简述：电子束蒸发镀膜（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种，与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合...
电子束光刻曝光剂量
2023-07-31

电子束光刻是一个相当复杂的过程，其曝光过程中涉及到电子束与物质的作用，这部分我们将在后续的过程中介绍，这里我们将介绍一下电子束光刻的曝光工艺...
磁控靶溅射沉积率的影响因素
2023-07-31

溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基...