公司新闻 - 苏州硅时代_微纳加工|MEMS加工|MEMS代工|器件封装|MEMS一站式解决专家

通用去胶方案
2023-08-10

通用去除剂在去胶发生困难的情况下（例如在密集的等离子蚀刻或溅射之后），超声或兆声清洗会对去除光刻胶带来很大的帮助。但是，在此过程中必须保护衬...
蚀刻工艺的精确计时
2023-08-10

对于更紧密的几何形状和更薄的薄膜，需要在蚀刻速率与对其他操作参数的良好控制之间取得平衡。 “随着设计规则的缩小，许多蚀刻工艺正在转向非常快速的...
离子束刻蚀（IBE）技术研究
2023-08-09

1.离子束刻蚀（IBE）技术的原理？离子束刻蚀（IBE，Ion Beam Etching）也称为离子铣（IBM，Ion Beam Milling），也有人称之为离子溅射刻...
刻蚀剖面 Etch Cross-section
2023-08-09

刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。有两种基本的刻蚀剖面：各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和纵向）以相同的...
针尖光刻技术
2023-08-08

我们知道半导体工业的发展有一个很有名的“摩尔定律”，而保证半导体工业遵循“摩尔定律”发展的基石是光刻技术。光刻技术的发展始终有都有一个重要的...
影响刻蚀效果的因素
2023-08-08

ICP 工艺中影响刻蚀效果的因素很多。工艺参数里包括源功率、偏压功率、刻蚀气体及流量、工作气压和温度等。此外，掩膜的制备和反应室内壁的情况对刻...

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