公司新闻 - 微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司

离子束刻蚀（IBE）技术研究
2023-08-09

1.离子束刻蚀（IBE）技术的原理？离子束刻蚀（IBE，Ion Beam Etching）也称为离子铣（IBM，Ion Beam Milling），也有人称之为离子溅射刻...
刻蚀剖面 Etch Cross-section
2023-08-09

刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。有两种基本的刻蚀剖面：各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和纵向）以相同的...
针尖光刻技术
2023-08-08

我们知道半导体工业的发展有一个很有名的“摩尔定律”，而保证半导体工业遵循“摩尔定律”发展的基石是光刻技术。光刻技术的发展始终有都有一个重要的...
影响刻蚀效果的因素
2023-08-08

ICP 工艺中影响刻蚀效果的因素很多。工艺参数里包括源功率、偏压功率、刻蚀气体及流量、工作气压和温度等。此外，掩膜的制备和反应室内壁的情况对刻...
碳化硅的化学机械抛光
2023-08-07

碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，...
如何选择显影液
2023-08-07

显影是在曝光后的重要步骤，利用曝光区域在化学性质上与未暴光的区域不同，在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域（负胶）或者未曝光区域（正胶）的...